SJ 50033.40-1994 GT11型半导体硅NPN光敏晶体管详细规范
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ID： |
34D5C2B4BCC443739FD2B9F4DE490A58 |
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文件大小(MB)： |
0.4 |
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页数： |
10 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033.40-94,GT11型半导体硅NPN光敏,晶体管详细规范,Detail specification for type GT11,semiconductor sililcon NPN photo-transistor,199459.30发布 1994-12-01实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,GT11型半导体硅NPN光敏晶体管详细规范贞5QQ33 40-94,Detail specification for type GT11,semiconductor silicon NPN photo-transistor,1范围,1.I 主题内容,本规范规定了 GT1I型半导体硅NPN光敏晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,1.3.1 器件的等级,按照GJB 33〈半导体分立關件总规范》的规定,提供产品保证的普军和特军两个等级,并,分别用字母GP和GT表示,2引用文件,GB 4587-84,GJB 33—85,GJB 128—86,SJ 2214.9—82,SJ/Z 9014.2-87,双极型晶体管测试方法,半导体分立器件总规范,半导体分立器件试验方法,半导体光敏二极管、半导体光敏三极管脉冲上升、下降时间测试方法,半导体器件 分立器件和集成电路总规范 第5部分:光电子器件,3要求,3.1 详细要求,各条要求应按照GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构应按照GJB 33和本规范的规定。外形尺寸和引出端排列符合本规范图,的规定,中华人民共和国电子工业部1994-Q9-30发布1994-12-01 实施,] __,SJ 50033.40-94,mm,符 号,尺 寸,最小值标称值最大值,A 4.82 5.21,も2.54,蒯1 2.79,站0.406 0.48,虹） 5.31 5.84,№1 4.53 4.95,i 0.91 L16,K 0.83 1.02,L 12.7,e 0 0.5,图1外形尺寸,3,2,1 半导悻芯片材料,半导体芯片材料为硅,3.2.2 封装形式,全密封金属外壳玻璃透镜窗口,见本规范图L,3,2.3 如需提供引线长度不同于本规范图1规定的器件,应在合同中规定,3.3 引线材料及涂层,—2 —,下载,SJ 50033.40-94,引线材料为可伐合金,引线涂层应镀金,也可按照合同要求（见6.2）镀锡,3.4 最大额定值和主要光电特性,3.4.I 最大额定值,Kao,(V),VcRO,(V),^EEO,(V),P tot,(mW),%,(V),T1,Jtmb,(t),40 45 5 150 -55-150 - 55725,注:1）ム、251c时按1.5mM7X:降额,3.4.2主要光电特性（Tamb=251C）,参数条 件,极限值,单位,最小值最大值,10001X,铛灯光源色温2856K,Vce-WV, VE = 0,2 mA,G口VcE = 30Vf JE-lmA 0J 心,1￠ 二 10mA,1E テ 1mA 0.3 V,^BRCfiO 1c= 100gA, fE = 0 45 V,Vbrebq ZC = 100^A, JE = 0 5 V,^RRGEO 1￠ ― 1 〇0, A, f e ニ。40 V,h 1广 1mA, Vtx-lOV 3 巒,』c= 1mA, %= 10V 3 対,Ap 8800 （典型值） nm,接收角± 10 ■,3.5 标志,制造厂可以将GJB 33中规定的下列标志从管体上省略,a.制造厂的识别,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按照GJB33和本规范的规定,4.2 筛选（仅对GT级）,GT级器件应按表1中规定的步骤和条件进行百分之百的筛选试验。批中所有器件都应,进行表2中I町和八ひ二个参数的测试。并将测试结果记录下来。所有器件都应标明序号,以便老化试验后做ム参数的最终测试。老化前经密封试验或1cM和し“参数测试失效的器件,应从批中剔除,且在批记录中记录失效器件的序号,老化后超过△极限值的所有器件应从批,中剔除,且在批记录中记录失效器件数和序号。如果老化后有10%或更多的器件失效,则整,个批不能作为GT级产品交货,3,SJ 50033.40-94,衰1筛选的步骤和条件（仅对GT级）,检验和试验符号,GJB128 機限值,単位,方 法条 件最小最大,内部目检,（封帽前）,2072 放大2。倍检验,2高温寿命,（不工作）,1032 J = 15g ',; = 72k,3热冲击,（温度循环）,1051 除最高温度为125C,极限温度下,的试验时间至少15min,循环次数,为10次外,其余按试驢杀件用,4恒定加速度2006 不工作,加速度:196000m/』,方,向;Y”,5密封,a.卽检漏,b.粗检漏,1071,试验条件H,加压时间2h,试验条件Co,6高温反偏1039 丁媪=85じ,Vce = 3OVド= 48h,/中间电参数测试,光电流,暗电流,1点E）,［函,SJ/9014.2 第 N,章 2.14,GB 4587,2.14,1000bt,幡灯光源的色温为2856K,测试条件1,旋转角±10%,fE = 0. Vce = 30Vo,2,0.1,mA,A,8电老化1027 ア6二15%及二 10mA,t = 96晨,9最后测试,（老化后セh内进,行）,光电流,暗电流厶1国,单/Z 9014.2,第W章2.14,GB 4587.2.……
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